类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

生命周期状态

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

材料

终端数量

晶体管元件材料

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

包装

系列

JESD-609代码

零件状态

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

配置

通道数量

操作模式

功率耗散

箱体转运

晶体管应用

极性/通道类型

连续放电电流(ID)

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

通态电阻

辐射硬化

IXTQ140N10P
IXTQ140N10P
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11@10V

140

155@10V

155

4700@25V

600000

26

50

85

35

-55

175

通孔

4.9(Max)

15.8(Max)

3

Tab

TO-3P

TO-3P

通孔

符合免除

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

活跃

3

Single

N

IXFX34N80
IXFX34N80
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-247-3

Si

240@10V

- 55 C

通孔

240 mOhms

34 A

符合免除

有

有

无

无

功率MOSFET

HiperFET

Enhancement

1

800

±20

34

270@10V

270

7500@25V

560000

40

45

100

45

-55

150

通孔

21.34(Max)

5.21(Max)

16.13(Max)

3

Tab

PLUS 247

800 V

560 W

N-Channel

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

NRND

Si

3

Single

1 Channel

N

IXTY15P15T
IXTY15P15T
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-252-3

240@10V

15 A

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

TrenchP

Enhancement

1

150

±15

4.5

15

50

10

48@10V

48

3650@25V

150000

11

14

36

21

-55

150

表面贴装

2.38(Max)

6.22(Max)

6.73(Max)

2

Tab

DPAK

150 V

P-Channel

SMD/SMT

240 mOhms

活跃

Si

3

Single

P

IXFN420N10T
IXFN420N10T
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.3@10V

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

420

670@10V

670

47000@25V

1070000

255

155

115

47

-55

175

Screw

9.6(Max)

25.42(Max)

38.23(Max)

4

SOT

SOT-227B

Screw

活跃

4

单双源

N

IXTP1R4N120P
IXTP1R4N120P
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-220-3

13000@10V

4.4

666@25V

7.6@25V

2.5

36

86000

29

27

78

25

-55

150

30

3

4.75

900

1.5

通孔

9.15(Max)

4.83(Max)

10.66(Max)

3

Tab

TO-220

1.2 kV

2.5 V

86 W

N-Channel

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

通孔

24.8 nC

13 Ohms

1.4 A

符合免除

8541.29.00.40

无

无

功率MOSFET

Polar

Enhancement

1

1200

±30

4.5

150

1.4

100

5

24.8@10V

24.8

12.8

活跃

Si

3

Single

1 Channel

N

IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7500@10V

功率MOSFET

Enhancement

1

1200

±30

2.4

37@10V

37

1207@25V

125000

32

25

70

22

-55

150

表面贴装

4.7(Max)

9.4(Max)

10.41(Max)

2

Tab

D2PAK

-

2.4A

Compliant

8541.29.00.95

无

无

活跃

3

Single

125W

N

EKI07174
EKI07174
Allegro MicroSystems 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14.1@10V

90000

8.7

4.2

19.4

4.5

-55

150

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

75

±20

2.5

46

100

100

33@10V|[email protected]

33

2520@25V

NRND

单排双泄

N

IXFT16N120P
IXFT16N120P
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-268-3

950@10V

Tab

TO-268-AA

D3PAK

Gull-wing

1.2 kV

6.5 V

660 W

N-Channel

+ 150 C

- 30 V, + 30 V

- 55 C

SMD/SMT

120 nC

950 mOhms

16 A

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

1200

±30

16

120@10V

120

6900@25V

660000

35

28

66

35

-55

150

表面贴装

5.1(Max)

14(Max)

16.05(Max)

2

活跃

Si

3

Single

1 Channel

N

IXTQ150N15P
IXTQ150N15P
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-3P-3

13@10V

+ 175 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

通孔

190 nC

13 mOhms

150 A

符合免除

无

无

功率MOSFET

PolarHT

Enhancement

1

150

±20

150

190@10V

190

5800@25V

714000

28

33

100

30

-55

175

通孔

4.9(Max)

15.8(Max)

3

Tab

TO-3P

TO-3P

通孔

150 V

5 V

714 W

N-Channel

活跃

Si

3

Single

1 Channel

N

IXFK180N10
IXFK180N10
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8@10V

Enhancement

1

100

±20

180

360@10V

360

9100@25V

560000

65

90

140

50

-55

150

通孔

26.16(Max)

5.13(Max)

19.96(Max)

3

Tab

TO-264AA

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

HiperFET

NRND

3

Single

N

IXTT1N250HV
IXTT1N250HV
Littelfuse 数据表

272 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

40000@10V

表面贴装

5.1(Max)

14(Max)

16.05(Max)

2

Tab

D3PAK-HV

Gull-wing

-

1.5A

符合免除

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

2500

±20

4

150

1.5

100

25

41@10V

41

1660@25V

2

77

250000

39

25

132

69

-55

150

20

6

1.5

活跃

3

Single

250W

N

IXFH50N20
IXFH50N20
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

45@10V

8541.29.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

50

190@10V

190

4400@25V

300000

16

15

72

18

-55

150

通孔

21.46(Max)

5.3(Max)

16.26(Max)

3

Tab

TO-247AD

符合免除

EAR99

NRND

3

Single

N

IXTY08N50D2
IXTY08N50D2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4600@0V

500

±20

0.8(Min)

12.7@5V

312@25V

60000

52

54

35

28

-55

150

表面贴装

2.4(Max)

6.22(Max)

6.73(Max)

2

Tab

DPAK

-

-

800mA

Compliant

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

活跃

3

Single

60W

N

IXTP60N20T
IXTP60N20T
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-220-3

40@10V

9.15(Max)

4.83(Max)

10.66(Max)

3

Tab

TO-220AB

-

60A

200 V

3 V

500 W

N-Channel

+ 175 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

通孔

73 nC

40 mOhms

60 A

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

TrenchFET

Enhancement

1

200

±20

5

60

200

1

73@10V

73

4530@25V

500000

22

13

33

22

-55

175

通孔

活跃

Si

3

Single

1 Channel

500W

N

IXFT58N20
IXFT58N20
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-268-3

40@10V

- 20 V, + 20 V

- 55 C

SMD/SMT

40 mOhms

58 A

符合免除

EAR99

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

58

190@10V

190

4400@25V

300000

16

15

72

18

-55

150

表面贴装

5.1(Max)

14(Max)

16.05(Max)

2

Tab

TO-268

200 V

300 W

N-Channel

+ 150 C

HiPerFET

NRND

Si

3

Single

1 Channel

N

IXFX80N50P
IXFX80N50P
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

65@10V

无

功率MOSFET

HiperFET

Enhancement

1

500

±30

80

197@10V

197

12700@25V

1040000

16

27

70

25

-55

150

通孔

21.34(Max)

5.21(Max)

16.13(Max)

3

Tab

PLUS 247

符合免除

有

有

无

活跃

3

Single

N

GRP-DATA-JANSF2N7589U3
GRP-DATA-JANSF2N7589U3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

88@12V

3

SMD-0.5

供应商未确认

无

无

Enhancement

1

150

19

750000

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

活跃

3

Single

N

IXTA3N100D2
IXTA3N100D2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-263-3

6000@0V

-

3A

1 kV

4.5 V

125 W

N-Channel

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

SMD/SMT

37.5 nC

6 Ohms

3 A

符合免除

有

有

无

无

功率MOSFET

Depletion

1

1000

±20

37.5@5V

1020@10V

125000

40

67

34

27

-55

150

表面贴装

4.83(Max)

9.4(Max)

10.41(Max)

2

Tab

TO-263

D2PAK

Gull-wing

-

活跃

Si

3

Single

1 Channel

125W

N

IXTA15N50L2
IXTA15N50L2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-263-3

480@10V

500 V

2.5 V

300 W

N-Channel

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

SMD/SMT

123 nC

480 mOhms

15 A

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

500

±20

15

123@10V

123

4080@25V

300000

65

73

110

38

-55

150

表面贴装

4.83(Max)

9.4(Max)

10.41(Max)

2

Tab

TO-263

D2PAK

Gull-wing

活跃

Si

3

Single

1 Channel

N

GKI04101
GKI04101
Allegro MicroSystems 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11.6@10V

3100

4.7

2.2

9.6

1.6

-55

150

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

40

±20

2.5

9

100

100

[email protected]|13.3@10V

13.3

990@25V

活跃

单四漏三源

N

IXTQ130N10T
IXTQ130N10T
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-3P-3

9.1@10V

符合免除

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

100

130

104@10V

104

5080@25V

360000

28

47

44

30

-55

175

通孔

4.9(Max)

15.8(Max)

3

Tab

TO-3P

TO-3P

通孔

100 V

360 W

N-Channel

+ 175 C

- 55 C

通孔

8.5 mOhms

130 A

活跃

Si

3

Single

1 Channel

N

GRP-DATA-IRHLNJ793034SCS
GRP-DATA-IRHLNJ793034SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

[email protected]

250(Max)

100(Max)

32(Max)

-55

150

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD-0.5

供应商未确认

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

60

±10

-55 to 150

22

36(Max)@4.5V

2261@25V

57000

85(Max)

活跃

3

Single

P

GRP-DATA-JANSF2N7546U3
GRP-DATA-JANSF2N7546U3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

无

无

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD-0.5

活跃

3

IXFH26N50
IXFH26N50
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

200@10V

符合免除

EAR99

8541.21.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

HDMOS

Enhancement

1

500

±20

4

26

100

200

135@10V

135

4200@25V

300000

30

33

65

16

-55

150

通孔

21.46(Max)

5.3(Max)

16.26(Max)

3

Tab

TO-247AD

NRND

3

Single

N

JANTX2N7224
JANTX2N7224
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 years ago)

通孔

NO

3

3

SILICON

81@10V

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

8541290080

1

Compliant

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3

FLANGE MOUNT

METAL

未说明

150 °C

无

JANTX2N7224

SQUARE

Infineon Technologies AG

活跃

INFINEON TECHNOLOGIES AG

5.13

34 A

不合规

EAR99

8541.21.00.95

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

100

±20

-55 to 150

34

125(Max)@10V

125(Max)

3700@25V

150000

130(Max)

190(Max)

170(Max)

35(Max)

-55

150

Military

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

Bulk

e0

活跃

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

150 °C

-55 °C

HIGH RELIABILITY

FET 通用电源

SINGLE

PIN/PEG

未说明

compliant

3

MIL-19500/592

S-MSFM-P3

Qualified

Single

增强型MOSFET

150 W

ISOLATED

SWITCHING

N-CHANNEL

21 A

TO-254AA

20 V

34 A

0.081 Ω

100 V

136 A

100 V

N

150 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

150 W

100 mΩ

无